Equipamento de retificação de carboneto de silício: o pilar da fabricação de precisão

No campo da fabricação moderna de alta tecnologia, o carboneto de silício (SiC), como um importante composto inorgânico, tem atraído muita atenção devido às suas propriedades físicas e químicas únicas. O SiC tem características de alta dureza, resistência ao desgaste, resistência a altas temperaturas, alta frequência, alta pressão e baixo consumo de energia, e é amplamente utilizado em muitos campos, como microeletrônica, aeroespacial, equipamentos médicos e LED de alta potência. No entanto, para aproveitar plenamente o potencial dos materiais de SiC, são necessários materiais de alta precisão e alta eficiência. Equipamento de moagem de carboneto de silício é indispensável.

O princípio de funcionamento do equipamento de moagem de SiC inclui principalmente etapas como carregamento de wafers, moagem, polimento, limpeza e secagem e transmissão de wafers. O wafer SiC a ser processado é carregado no dispositivo de fixação do equipamento para garantir que o wafer mantenha uma posição e postura estáveis ​​durante o processamento. Ao girar o disco ou a cabeça de moagem, a folha de moagem ou o líquido de moagem são colocados em contato com a superfície do wafer, e o atrito mecânico e a corrosão química das partículas abrasivas são usados ​​para remover as partes irregulares e a camada de óxido na superfície de a bolacha.

Com base na moagem, a superfície do wafer é ainda polida para eliminar arranhões e pequenos buracos gerados durante o processo de moagem, tornando a superfície do wafer mais lisa e plana. Após a conclusão do processo de polimento, a superfície do wafer é limpa e seca usando uma unidade de limpeza para remover fluido de moagem residual e contaminantes particulados para garantir a limpeza da superfície do wafer.

As características técnicas do equipamento de moagem de SiC refletem-se principalmente no processamento de alta precisão, produção de alta eficiência e proteção ambiental e economia de energia. Com a redução contínua dos nós de processo de circuito integrado, os requisitos para a qualidade da superfície do wafer também estão ficando cada vez maiores, exigindo que o equipamento de moagem de SiC tenha maior precisão e estabilidade de processamento. A fim de melhorar a eficiência da produção e reduzir os custos de produção, o equipamento de moagem de SiC precisa atingir velocidades de processamento mais eficientes e lotes de produção maiores. Com a melhoria da consciência ambiental e a tensão dos recursos energéticos, os equipamentos de moagem de SiC precisam prestar mais atenção à proteção ambiental e ao design de economia de energia para reduzir a geração de resíduos e o consumo de energia.

O equipamento de moagem de SiC tem uma ampla gama de aplicações na área de fabricação de semicondutores, especialmente em áreas de alta tecnologia, como fabricação de chips, componentes ópticos e chips de LED. Desempenha um papel vital. O bandgap de alta transparência e as propriedades físicas do SiC o tornam um material ideal para a fabricação de LEDs de alta potência, diodos laser, fotodetectores, células solares e gravadores UV.

Com a rápida penetração dos materiais SiC em veículos elétricos, aplicações industriais e comunicações 5G, espera-se que o tamanho do mercado de dispositivos de energia SiC cresça significativamente. De acordo com a Yole, uma empresa de pesquisa e consultoria em semicondutores, até 2028, o tamanho do mercado de dispositivos de energia SiC atingirá quase US$ 9 bilhões, dos quais as aplicações automotivas e industriais são as principais estruturas de aplicação downstream, representando 74% e 14%, respectivamente. Esta tendência impulsionará o crescimento contínuo da demanda por equipamentos de moagem de SiC.